半導体技術者検定エレクトロニクス4級 サンプル問題

1. ア：トランジスタ　イ：集中回路　ウ：ミニプロセッサ　　　エ：4004
2. ア：真空管　　　　イ：集積回路　ウ：ミニプロセッサ　　　エ：数千万
3. ア：トランジスタ　イ：集積回路　ウ：マイクロプロセッサ　エ：2300
4. ア：真空管　　　　イ：集中回路　ウ：マイクロプロセッサ　エ：200

1. （　ア　）
   半導体の設計から製造，販売までを同じ会社（自社）ですべて行うタイプ
2. （　イ　）
   半導体の企画・設計・開発（設計のみ）を主に行い会社で工場を持たないタイプ
3. （　ウ　）
   前工程を専門とする会社のタイプ
4. （　エ　）
   後工程を専門とする会社のタイプ

IDM :Integrated Device Manufacturer （アイディーエム）
OSAT:Outsourced Semiconductor Assembly and Test（オーサット）

1. ア:ファブレス　　イ:ファウンドリ　ウ:OSAT　　　　　エ:IDM
2. ア:IDM　　　　　イ:ファウンドリ　ウ:OSAT　　　　　エ:ファブレス
3. ア:ファウンドリ　イ:ファブレス　　ウ:OSAT　　　　　エ:IDM
4. ア:IDM　　　　　イ:ファブレス　　ウ:ファウンドリ　　エ:OSAT

1. ケイ素の単結晶は各原子が他の1個のケイ素原子と互いに共有結合している。
2. ケイ素の単結晶に不純物を注入することにより抵抗率を変えることができる。
3. ケイ素¹⁴Siの原子は14個の陽子と14個の中性子を有し原子量は28である。
4. ケイ素原子は14個の電子を有する。その配置は原子核に近い方から順に２個、８個、４個である。

1. t = 5.00[秒]
2. t = 1.00 x 10^-3[秒]
3. t = 2.72[秒]
4. t = 1.00[秒]

集積回路は、 （　ア　）の上に複数の（　イ　）とそれらの（　ウ　）が（　エ　）作られた電子部品のことである。

1. ア：半導体基板　　イ：演算素子　ウ：電源　エ：一体的に
2. ア：プリント基板　イ：演算素子　ウ：接続　エ：分離的に
3. ア：半導体基板　　イ：回路素子　ウ：接続　エ：一体的に
4. ア：プリント基板　イ：回路素子　ウ：電源　エ：分離的に

DRAMは通電時のみデータを保持できる（　ア　）である。
（　イ　）と呼ばれる動作を定期的に実施してデータを保持する。
（　ウ　）なため主に（　エ　）として使用される。
DRAM: Dynamic Random Access Memory

1. • ア：揮発性メモリ
   • イ：リフレッシュ
   • ウ：大容量
   • エ：メインメモリ
2. • ア：一時的メモリ
   • イ：ライトサイクル
   • ウ：大容量
   • エ：外部メモリ
3. • ア：揮発性メモリ
   • イ：リードサイクル
   • ウ：高速
   • エ：外部メモリ
4. • ア：不揮発性メモリ
   • イ：ライトサイクル
   • ウ：安価
   • エ：キャッシュメモリ

1. 歩留まりの高さは性能の高さを意味するため、半導体産業では歩留まりを高めることが重要である。
2. 歩留まりを高めるにはプロセス装置の精度やプロセスの条件など、様々な事項を点検する必要がある。
3. 歩留まりとは、出荷した製品の全数量の中に占める、所定の性能を発揮する良品の比率を示す。
4. 歩留まりとは、生産した製品の全数量の中に占める、所定の性能を発揮しない不良品の比率を示す。

下図のCMOSデジタルインバータ回路の動的消費電力は負荷容量CLが大きくなると（　ア　）なり、単位時間当たりの出力Doutの1, 0の反転回数が大きくなると（　イ　）なる。

1. ア：小さく　イ：大きく
2. ア：小さく　イ：小さく
3. ア：大きく　イ：大きく
4. ア：大きく　イ：小さく

ディジタルLSIのファンクション試験では、デバイスへの入力データと出力の期待値である（　ア　）、入力波形の種類や出力比較タイミングを表す（　イ　）、電源電圧と入力信号および出力信号の比較用の電圧レベルを表す（　ウ　）、などを正しく与える必要がある。

1. ア：真理値表　　　　　　　　イ：クロック周波数　　ウ：直流安定化電源
2. ア：カルノー図　　　　　　　イ：基準周波数　　　　ウ：定格電源電圧
3. ア：パターンデータ　　　　　イ：タイミングデータ　ウ：レベルデータ
4. ア：シミュレーションデータ　イ：状態遷移表　　　　ウ：スペックシート