半導体技術者検定エレクトロニクス4級 サンプル問題

1. ア：トランジスタ　イ：集中回路　ウ：ミニプロセッサ　　　エ：4004
2. ア：真空管　　　　イ：集積回路　ウ：ミニプロセッサ　　　エ：数千万
3. ア：トランジスタ　イ：集積回路　ウ：マイクロプロセッサ　エ：2300
4. ア：真空管　　　　イ：集中回路　ウ：マイクロプロセッサ　エ：200

1. 情報を保存することのできる半導体製品である半導体メモリのうち、フラッシュメモリは電源を切っても保存したデータが消えない。
2. LED電球では半導体が使われているが、蛍光灯では使われていない。
3. 炊飯器、冷蔵庫、電子レンジなどの家電に、マイコンと呼ばれる小さなコンピュータを組み込むことで、様々な機能を持たせることができる。
4. 単純な計算を大量に同時に実行できる半導体製品であるGPUは、デジタル画像の処理や深層学習などのAIの開発で用いられる。

1. ア：14　イ：4 　ウ：3　エ：16
2. ア：3 　イ：14　ウ：4　エ：14
3. ア：3 　イ：14　ウ：4　エ：15
4. ア：14　イ：3 　ウ：4　エ：14

1. t = 5.00[秒]
2. t = 1.00 x 10^-3[秒]
3. t = 2.72[秒]
4. t = 1.00[秒]

パッケージングは集積回路製造の（　ア　）における作業の１つである。ワイヤボンディングとリードフレームを用いるパッケージング方式では、（　イ　）、マウンティング、（　ウ　）、（　エ　）、トリム＆フォームの順で行われる。

1. ア：後工程　イ：ダイシング　　　　　ウ：ワイヤボンディング　　エ：モールド
2. ア：前工程　イ：ワイヤボンディング　ウ：モールド　　　　　　　エ：ダイシング
3. ア：前工程　イ：ダイシング　　　　　ウ：モールド　　　　　　　エ：ワイヤボンディング
4. ア：後工程　イ：ワイヤボンディング　ウ：ダイシング　　　　　　エ：モールド

DRAMは通電時のみデータを保持できる（　ア　）である。
（　イ　）と呼ばれる動作を定期的に実施してデータを保持する。
（　ウ　）なため主に（　エ　）として使用される。
DRAM: Dynamic Random Access Memory

1. • ア：揮発性メモリ
   • イ：リフレッシュ
   • ウ：大容量
   • エ：メインメモリ
2. • ア：一時的メモリ
   • イ：ライトサイクル
   • ウ：大容量
   • エ：外部メモリ
3. • ア：揮発性メモリ
   • イ：リードサイクル
   • ウ：高速
   • エ：外部メモリ
4. • ア：不揮発性メモリ
   • イ：ライトサイクル
   • ウ：安価
   • エ：キャッシュメモリ

半導体内部で電子が（　ア　）を通過する際に強い電界強度を受けることがある。特に、（　イ　）回路ほど電界強度が強くなりやすく、その影響で（　ア　）の（　ウ　）が進行する。（　ア　）内部のゲート酸化膜は電界強度が強くなると破壊されることがある。酸化膜が壊れると破壊箇所が（　エ　）半導体は制御できなくなり、回路が動作しなくなる。

1. ア：ビアホール　　イ：大きな　ウ：腐食　エ：ショートして
2. ア：トランジスタ　イ：微細な　ウ：腐食　エ：オープンとなり
3. ア：トランジスタ　イ：大きな　ウ：劣化　エ：オープンとなり
4. ア：トランジスタ　イ：微細な　ウ：劣化　エ：ショートして

半導体やシステムがどのくらいの期間、故障せずに動作するかを示す指標として、（　ア　）と（　イ　）がある。（　イ　）は、特定の半導体やシステムが正常に動作し続ける期間の平均値であり、製品の（　ウ　）に用いる。（　ア　）が長いほど、（　エ　）製品であることを意味する。

1. ア：平均故障間隔　イ：平均寿命　　　ウ：寿命予測　　　エ：故障しにくい
2. ア：平均故障間隔　イ：平均寿命　　　ウ：信頼性予測　　エ：修理しやすい
3. ア：平均寿命　　　イ：平均故障間隔　ウ：信頼性予測　　エ：修理しやすい
4. ア：平均寿命　　　イ：平均故障間隔　ウ：寿命予測　　　エ：故障しにくい

ディジタルLSIのファンクション試験では、デバイスへの入力データと出力の期待値である（　ア　）、入力波形の種類や出力比較タイミングを表す（　イ　）、電源電圧と入力信号および出力信号の比較用の電圧レベルを表す（　ウ　）、などを正しく与える必要がある。

1. ア：真理値表　　　　　　　　イ：クロック周波数　　ウ：直流安定化電源
2. ア：カルノー図　　　　　　　イ：基準周波数　　　　ウ：定格電源電圧
3. ア：パターンデータ　　　　　イ：タイミングデータ　ウ：レベルデータ
4. ア：シミュレーションデータ　イ：状態遷移表　　　　ウ：スペックシート