半導体技術者検定の公式テキストを執筆した本人による出題問題解説動画を無料公開しています。より深い技術理解や検定の学習教材として、ぜひご活用ください。
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エレクトロニクス3級
はかる×わかる半導体 入門編【改訂版】
章 | 動画名 | 講師 |
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第1章 | FinFETの構造と動作原理(9:20) | 井上智生 先生広島市立大学大学院情報科学研究科 教授 |
テストの質と歩留まり(9:38) | ||
第2章 | 設計での品質考慮(劣化の考慮)(6:59) | 佐藤康夫 先生九州工業大学 客員教授 |
故障メカニズム(6:42) | ||
第3章 | ASICの種類と特徴について(16:00) | 畠山一実 先生群馬大学 協力研究員 |
イメージャの種類と特徴について(12:22) | ||
第4章 | テスタを用いたデバイス試験(12:18) | |
ACパラメトリック試験の測定項目について(14:37) |
エレクトロニクス2級 科目共通問題
はかる×わかる半導体 応用編
章 | 動画名 | 講師 |
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第1章 | CMOS論理回路(7:04) | 高橋 寬 先生愛媛大学大学院 教授 |
半導体の設計と検証(9:10) | ||
組合せ論理回路(7:00) | ||
第2章 | デバイスの製造工程(5:34) | |
第3章 | テストと歩留り(16:43) | 畠山一実 先生元群馬大学 客員教授/協力研究員 |
第5章 | システムの信頼度(11:38) | 井上美智子 先生奈良先端科学技術大学院大学 教授 |
機能安全(13:05) | ||
品質管理手法のいろいろ(12:33) | 松崎一夫 先生元富士電機総合研究所 主席研究員 |
はかる×わかる半導体 パワーエレクトロニクス編
章 | 動画名 | 講師 |
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第1章 | シート抵抗または抵抗率は抵抗にどう関係する?(13:14) | 松田順一 先生群馬大学 客員教授/協力研究員 |
第2章 | 電力用装置に組み込まれたパワー素子の大電流測定方法(13:45) | 松崎一夫 先生元富士電機総合研究所 主席研究員 |
第3章 | ベアチップ実装におけるボンディング技術(11:29) | |
プロセス評価技術-ゲート酸化膜評価-(13:13) | ||
第6章 | 信頼性評価方法 加速試験(18:01) | 遠藤幸一 先生元 東芝デバイス&ストレージ(株) |
動画名 | 講師 | |
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QC7つ道具について(19:27) | 松崎一夫 先生元富士電機総合研究所 主席研究員 |
エレクトロニクス2級 「設計と製造」科目個別問題
はかる×わかる半導体 応用編
章 | 動画名 | 講師 |
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第1章 | 設計検証(機能検証・論理検証)(18:37) | 梶原誠司 先生九州工業大学 教授 |
低電力設計(21:40) | ||
自動レイアウト(18:37) | 高橋 寬 先生愛媛大学大学院理工学研究科 | |
レイアウト検証(6:43) | ||
第1章 ・ 第3章 |
ADCのFFT試験での正弦波入力周波数とサンプリング周波数の望ましい関係(16:13) | 小林春夫 先生群馬大学 名誉教授 |
AD変換器の高周波入力高速サンプリングと変換精度(15:12) | ||
AD変換器試験での正弦波入力振幅と出力高調波歪振幅の関係(10:09) | ||
第2章 | ウェーハの製造(13:07) | 畠山一実 先生群馬大学 協力研究員 |
ダイシングによるダイ分割について(12:31) | ||
モールドによるパッケージの封止成形(13:37) | ||
第3章 | テスト生成(5:52) | 高橋 寬 先生愛媛大学大学院理工学研究科 |
故障辞書(8:19) | ||
故障診断・解析(11:35) | ||
D/A変換器のDC特性(16:43) | 畠山一実 先生元群馬大学 客員教授/協力研究員 |
エレクトロニクス2級 「応用と品質」科目個別問題
はかる×わかる半導体 応用編
章 | 動画名 | 講師 |
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第4章 | シグナルインテグリティ(14:54) | 佐藤康夫 先生九州工業大学 客員教授 |
安全動作領域(SOA)(10:09) | 井上智生 先生広島市立大学大学院情報科学研究科 教授 | |
汎用ロジックIC(9:28) | ||
第5章 | 機能安全(14:04) | 井上美智子 先生奈良先端科学技術大学院大学 教授 |
基本的な統計分布(9:37) | ||
メモリの信頼性(16:00) | ||
信頼度の計算(11:02) | 佐藤康夫 先生九州工業大学 客員教授 | |
FBMによるメモリ解析(6:47) | ||
故障解析装置のいろいろ(7:53) | ||
TDR法による故障解析(9:50) |
エレクトロニクス2級 「パワーエレクトロニクス」科目個別問題
はかる×わかる半導体 パワーエレクトロニクス編
章 | 動画名 | 講師 |
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第1章 | パワーMOSFETの特性オン抵抗と耐圧の関係(9:42) | 松田順一 先生群馬大学 |
パワーMOSFETのスイッチング波形(8:58) | ||
MOSFETのしきい値電圧は何に影響される?(15:01) | ||
IGBTの耐圧(12:43) | ||
IGBTのラッチアップ(12:21) | ||
第2章 | 作り込むデバイスの種類と基板ウェーハの選定(11:53) | 松崎一夫 先生元富士電機総合研究所 主席研究員 |
薄ウェーハプロセス(裏面プロセス)(13:36) | ||
パワーデバイスの高性能化に必要なプロセス技術とは?(14:54) | ||
第3章 | パワーモジュール構造(12:59) | 山本秀和 先生千葉工業大学 |
パワーモジュール製造(12:22) | ||
パワーモジュール高性能化(15:58) | ||
パワーモジュール製造(11:13) | 山本秀和 先生PDEA 広報担当理事 | |
パワーモジュール高性能化(12:08) | ||
パワーデバイス設計品質(7:59) | 遠藤幸一 先生元 東芝デバイス&ストレージ(株) | |
第5章 | 非絶縁形DC-DCコンバータの出力電圧とスイッチ電圧(16:53) | 落合政司 先生元芝浦工業大学 |
絶縁形DC-DCコンバータ(14:46) | ||
第6章 | パワーデバイス故障メカニズム(11:39) | 遠藤幸一 先生元 東芝デバイス&ストレージ(株) |
パワーサイクル試験(12:23) | ||
信頼性 酸化膜不良Bモード(12:05) |